Guard Ring画好怎么用？
前两篇从Guardring的介绍到画法都已经详细讲过了，相信画法你已经掌握了，今天就来看一看，画好它之后到底如何运用吧。
画好之后：如何使用多数载流子环和少数载流子环，还有两种结合。
这是基本的四端MOS的guardring的做法：
单层GuardRing：
单层GuardRing由多子保护环构成。
Nwellring围绕PMOS Nwell内侧，并接VDD构成电子多子保护环，并起衬底接触作用，做成环状减小Rwell值。 psubring围绕NMOS，并接GND构成空穴多子保护环，并起衬底接触作用，做成环状减小Rsub值。
双层GuardRing:双层GuardRing由多子保护环和少子保护环共同构 成。
NWring围绕PMOS Nwell内侧，并接VDD构成电子多子保护环，并起衬底接触作用，做成环状减小Rwell值。psubring 围绕Nwell外侧，并接GND构成空穴少子保护 环，避免PMOS的空穴注入到NMOS区。Psubring围绕NMOS，并接GND构成空穴多子保护环，并起衬底接触作用，做成环状减小Rsub值。NWring围绕NMOS，并接VDD构成电子少子保护环，避免NMOS的电子注入到PMOS 区。
通常用于信号输出到IO PAD上防止LUTCH-UP和ESD。
三层GuardRing：三层GuardRing由多子保护环和少子保护环共同构 成。
NWring围绕pmos Nwell/varactor cap内侧，并接HOT点或者FLOATING构成电子多子保护环，
并起衬底接触作用，做成环状减小Rwell值。
Nwell围绕Nwell外侧，并接VDD构成电子多子保护 环。
P+围绕Nwell外侧，并接GND构成空穴少子保护环， 避免PMOS的空穴注入到NMOS区。
这种多用于varatorcap 电容的保护方式
P+围绕NMOS，D并接GND构成空穴多子保护环，并起衬底接触作用，做成环状减小Rsub值。
Nwell围绕NMOS外侧，并接VDD构成电子少子 保护环。N+围绕NMOS，并接VDD构成电子少子保护环，避免NMOS的电子注入到PMOS区。
那么在版图中需要guardring保护环模块，对差分对及其他需要严格匹配的器件需要用其衬底环包围起来。
CMOS工艺中，每一个模块尽量都加上环进行保护。
BICMOS工艺中，对噪声模块和敏感模块加保护环。
噪声模块通常包括：大功率器件、数字开关部分、振荡器。
敏感模块通常包括：电压基准、电流偏置电路、运放。
CMOS工艺（P衬底），模块保护环应该打P+接地电位。
功率管、基准保护环常做成两层结构：一层打P+接地，一层打N+接电源。
保护环的电位不与器件内部电源相接，而是在I/O端单独引出。
如果隔离部分主要为N型器件，则Gnd在里面，VDD在外面。
如果隔离部分主要为P型器件，则VDD在里面，Gnd在外面。
如果隔离部分P、N差不多，若是P-sub，则Gnd在里面，VDD在外面，这 样VDD可以起到隔离环作用。
Guard ring 画法总结:
Guard ring 不要走电流
Guard ring 不要与大的噪声源互连
Guard ring 用在对噪声敏感的电路
Guard ring 可以包一圈，也可以只包部份
Guard ring 不能拿来作为简便的电流源
Guard ring 不能与seal ring连在一起。
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墙中自有强中手——Guard Ring（三）—用法详解
Guard Ring画好怎么用？
前两篇从Guardring的介绍到画法都已经详细讲过了，相信画法你已经掌握了，今天就来看一看，画好它之后到底如何运用吧。
画好之后：如何使用多数载流子环和少数载流子环，还有两种结合。
这是基本的四端MOS的guardring的做法：
单层GuardRing：
单层GuardRing由多子保护环构成。
Nwellring围绕PMOS Nwell内侧，并接VDD构成电子多子保护环，并起衬底接触作用，做成环状减小Rwell值。 psubring围绕NMOS，并接GND构成空穴多子保护环，并起衬底接触作用，做成环状减小Rsub值。
双层GuardRing:双层GuardRing由多子保护环和少子保护环共同构 成。
NWring围绕PMOS Nwell内侧，并接VDD构成电子多子保护环，并起衬底接触作用，做成环状减小Rwell值。psubring 围绕Nwell外侧，并接GND构成空穴少子保护 环，避免PMOS的空穴注入到NMOS区。Psubring围绕NMOS，并接GND构成空穴多子保护环，并起衬底接触作用，做成环状减小Rsub值。NWring围绕NMOS，并接VDD构成电子少子保护环，避免NMOS的电子注入到PMOS 区。
通常用于信号输出到IO PAD上防止LUTCH-UP和ESD。
三层GuardRing：三层GuardRing由多子保护环和少子保护环共同构 成。
NWring围绕pmos Nwell/varactor cap内侧，并接HOT点或者FLOATING构成电子多子保护环，
并起衬底接触作用，做成环状减小Rwell值。
Nwell围绕Nwell外侧，并接VDD构成电子多子保护 环。
P+围绕Nwell外侧，并接GND构成空穴少子保护环， 避免PMOS的空穴注入到NMOS区。
这种多用于varatorcap 电容的保护方式
P+围绕NMOS，D并接GND构成空穴多子保护环，并起衬底接触作用，做成环状减小Rsub值。
Nwell围绕NMOS外侧，并接VDD构成电子少子 保护环。N+围绕NMOS，并接VDD构成电子少子保护环，避免NMOS的电子注入到PMOS区。
那么在版图中需要guardring保护环模块，对差分对及其他需要严格匹配的器件需要用其衬底环包围起来。
CMOS工艺中，每一个模块尽量都加上环进行保护。
BICMOS工艺中，对噪声模块和敏感模块加保护环。
噪声模块通常包括：大功率器件、数字开关部分、振荡器。
敏感模块通常包括：电压基准、电流偏置电路、运放。
CMOS工艺（P衬底），模块保护环应该打P+接地电位。
功率管、基准保护环常做成两层结构：一层打P+接地，一层打N+接电源。
保护环的电位不与器件内部电源相接，而是在I/O端单独引出。
如果隔离部分主要为N型器件，则Gnd在里面，VDD在外面。
如果隔离部分主要为P型器件，则VDD在里面，Gnd在外面。
如果隔离部分P、N差不多，若是P-sub，则Gnd在里面，VDD在外面，这 样VDD可以起到隔离环作用。
Guard ring 画法总结:
Guard ring 不要走电流
Guard ring 不要与大的噪声源互连
Guard ring 用在对噪声敏感的电路
Guard ring 可以包一圈，也可以只包部份
Guard ring 不能拿来作为简便的电流源
Guard ring 不能与seal ring连在一起。